Коротко: нет одного «типичного» значения — всё сильно зависит от типа транзистора и от класса по рабочему напряжению. Ниже — ориентиры и пояснения.
Почему нельзя назвать одно число
- У дискретных приборов (малосигнальных, силовых) применяются специальные технологии (DMOS, LDMOS, trench, super‑junction и т.д.), оптимизированные под напряжение, утечку и тепловые режимы. Номер техпроцесса в нм (как в цифровом CMOS) не всегда применяется и не всегда соответствует «канальной длине» в прямом смысле.
- Производители редко публикуют точную длину канала/ширину базы — они указывают электрофизические характеристики (RDS(on), Vth, BVdss и т.д.).
Ориентировочные диапазоны
- Малосигнальные SMD‑MOSFET (SOT‑23, SOD‑123F и т.п.), например 2N7002‑класса:
- типично техпроцессы класса ≈ 0.18–0.5 µm (180–500 нм) или старее (0.35 µm). Соответственно эффективная длина канала — сотни нанометров (порядок 100–500 нм).
- Малосигнальные биполярные транзисторы (SOT‑23): «ширина базы» может быть десятки–сотни нанометров, но параметры сильно зависят от конструкции и оптимизации под усиление/шум.
- Дискретные силовые MOSFETы (TO‑220, SO‑8, DPAK и т.д.):
- для низкого напряжения (20–60 V) современные вертикальные DMOS/Trench‑MOS часто имеют критические размеры в пределах сотен нанометров — микрометра (≈0.25–2 µm) в зависимости от реализации;
- для средних/высоких напряжений (≥100 V) «канальная» и, главное, дрейфовая области гораздо больше — микрометры и десятки микрометров; для очень больших напряжений (сотни вольт) геометрии могут быть десятки–сотни µm, а толщина пластинки — сотни микрометров.
- Super‑junction и trench‑технологии (для снижения RDS(on) при высоком BV) используют узкие структуры и соседние допированные столбцы, их размеры ячеек обычно в микрометровом диапазоне (единицы микрон и выше).
Ответ на ваш вопрос «это примерно 500–1000 нм?»
- Для многих малосигнальных SMD‑транзисторов 500 нм — вполне реалистичная величина.
- Для большинства дискретных силовых MOSFETов 500–1000 нм — это часто меньше, чем критические размеры (часто они — несколько микрон или больше, особенно для высоковольтных приборов). То есть 500–1000 нм не универсально: для SMD‑малосигнала — да, для силовых — обычно больше.
Как уточнить для конкретного устройства
- Смотрите даташиты (производители указывают не длину канала, но RDS(on), BVdss, технологию: trench, planar, SJ и т.д.).
- Поищите патенты/публикации производителя — там иногда есть размеры ячеек.
- Вопросы к производителю/техподдержке — они могут назвать процесс (например 0.35 µm HV DMOS) или дать ссылку на технологическое описание.
Если хотите, могу посмотреть несколько популярных дискретных устройств (назовите модели — например IRLZ44, IRFZ44, 2N7002, BSS84 и т.д.) и дать более конкретную оценку по каждому.