Здравствуйте. Пожалуйста, помогите мне с переводом некоторых терминов. Я буду очень благодарна за вашу помощь.
Тема: "Влияние процесса внедрения углерода на высокочастотные характеристики кремний-германиевых гетеропереходных биполярных транзисторов и инвариантность процесса".
Вот список вопросов:
1) Постэпитаксиальный процесс одинаков для всех пластин, за исключением одной детали: пластины с изначально слаболегированными коллекторами на скрытых слоях, сформированных диффузией сурьмы, имплантированы малыми дозами для селективного легирования пленки из слаболегированного кристаллизованного кремния (SI-LDCs).
Является ли следующая версия корректной: "Пластины с изначально слаболегированными коллекторами на скрытых слоях, сформированных диффузией сурьмы, имплантированы малыми дозами для селективного легирования пленки из слаболегированного кристаллизованного кремния (SI-LDCs)"?
14) При использовании слоев поликристаллического кремния для эмиттерных контактов, внешние зоны базы обычно имплантируются ионами бора BF2 и адаптированы для эмиттеров — как лучше выразить эту мысль?
15) Характеристики тока коллектора при различных максимальных напряжениях Коллектор-База идентичны, что указывает на отсутствие концентрации бора на поверхности кремний-германиевого слоя на стороне коллектора.
Как будет правильнее перевести "on the collector side"?
16) Первые тестирования напряжения прямого смещения при температуре 200 °C с пиковым (или импульсным) током коллектора на транзитной (граничной) частоте на протяжении более 20 часов показали, что ток коллектора и базы (при напряжении база-эмиттер 0,7 В) остается стабильным с точностью до 5%.
Как будет лучше сформулировать "peak fT collector current" — "пиковый ток коллектора" или "импульсный ток коллектора"?